BSB056N10NN3GXUMA1 - MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

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MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
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Spécifications pour BSB056N10NN3GXUMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSB056N10NN3GXUMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9A (Ta), 83A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5500pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquet / caisse : 3-WDSON
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSB056 , BSB056N10

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