BYV30X-600PQ - DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-BYV30X-600PQ
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BYV30X-600PQ
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BYV30X-600PQ
Fabricant : WeEn Semiconductors
La description : DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 30A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.55V @ 30A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 75ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 600V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Package d'appareils du fournisseur : TO-220F
Température de fonctionnement - Jonction : 175°C (Max)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour BYV30X-600PQ
Feuilles de données : BYV30X-600PQ.pdf
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