HAT2173H-EL-E - MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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333995 Pieces
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Spécifications pour HAT2173H-EL-E
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
HAT2173H-EL-E
Fabricant :
Renesas Electronics America
La description :
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
Séries :
-
Statut de la pièce :
Not For New Designs
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
25A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6V @ 20mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
61nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
4350pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
30W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
LFPAK
Paquet / caisse :
SC-100, SOT-669
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour HAT2173H-EL-E
Feuilles de données :
HAT2173H-EL-E.pdf
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