JANTXV2N6849U - MOSFET P-CH 100V 6.5A
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Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 100V 6.5A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour JANTXV2N6849U
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
JANTXV2N6849U
Fabricant :
Microsemi Corporation
La description :
MOSFET P-CH 100V 6.5A
Séries :
Military, MIL-PRF-19500/564
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
6.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
320 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
34.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
800mW (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
18-ULCC (9.14x7.49)
Paquet / caisse :
18-CLCC
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour JANTXV2N6849U
Feuilles de données :
JANTXV2N6849U.pdf
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