LND01K1-G - MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

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MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
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Spécifications pour LND01K1-G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : LND01K1-G
Fabricant : Microchip Technology
La description : MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 9V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 330mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 100mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : +0.6V, -12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 46pF @ 5V
Caractéristique FET : Depletion Mode
Dissipation de puissance (max) : 360mW (Ta)
Température de fonctionnement : -25°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-5
Paquet / caisse : SC-74A, SOT-753
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : LND , LND0

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Feuilles de données : LND01K1-G.pdf

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