LND01K1-G - MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-LND01K1-G
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour LND01K1-G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
LND01K1-G
Fabricant :
Microchip Technology
La description :
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
9V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
330mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 100mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
+0.6V, -12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
46pF @ 5V
Caractéristique FET :
Depletion Mode
Dissipation de puissance (max) :
360mW (Ta)
Température de fonctionnement :
-25°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
SOT-23-5
Paquet / caisse :
SC-74A, SOT-753
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour LND01K1-G
Feuilles de données :
LND01K1-G.pdf
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