BSP297L6327HTSA1 - MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

Référence fabricant

BSP297L6327HTSA1

Numéro de pièce interne

AX-BSP297L6327HTSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour BSP297L6327HTSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : BSP297L6327HTSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

Séries : SIPMOS®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 200V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 660mA (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 660mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 400µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16.1nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 357pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.8W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-SOT223-4

Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : BSP29 , BSP297L6

Documents pour BSP297L6327HTSA1

Feuilles de données : BSP297L6327HTSA1.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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