SISH106DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Référence fabricant

SISH106DN-T1-GE3

Numéro de pièce interne

AX-SISH106DN-T1-GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour SISH106DN-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SISH106DN-T1-GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Séries : TrenchFET®

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 20V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12.5A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 1.5W (Ta)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® 1212-8SH

Paquet / caisse : PowerPAK® 1212-8SH

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SISH1 , SISH106D

Documents pour SISH106DN-T1-GE3

Feuilles de données : SISH106DN-T1-GE3.pdf

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