TK6A80E,S4X - MOSFET N-CH 800V TO220SIS

Référence fabricant

TK6A80E,S4X

Numéro de pièce interne

AX-TK6A80E,S4X

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N-CH 800V TO220SIS

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

quantité disponible

247405 Pieces

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Spécifications pour TK6A80E,S4X

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK6A80E,S4X

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N-CH 800V TO220SIS

Séries : π-MOSVIII

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 800V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 600µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1350pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 45W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220SIS

Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK6 , TK6A8

Documents pour TK6A80E,S4X

Feuilles de données : TK6A80E,S4X.pdf

Produits associés pour TK6A80E,S4X Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	Marque	La description
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WI140266WJ10336BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
WF135272WL60238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.
C0805C154KMREC	KEMET	CAP CER 0805 150NF 63V X7R 10.
B37987F1223M051	EPCOS (TDK)	CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL.
WF110250WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
WF165270WL76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 16KV SCREW.