SIA914DJ-T1-E3 - MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

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MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
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Spécifications pour SIA914DJ-T1-E3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SIA914DJ-T1-E3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11.5nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 10V
Puissance - Max : 6.5W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SIA9 , SIA914D

Documents pour SIA914DJ-T1-E3

Feuilles de données : SIA914DJ-T1-E3.pdf

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