1N4007B-G - DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

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DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 1N4007B-G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 1N4007B-G
Fabricant : Comchip Technology
La description : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1000V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.1V @ 1A
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 1000V
Capacité @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : DO-204AL, DO-41, Axial
Package d'appareils du fournisseur : DO-41
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : 1N4 , 1N40

Documents pour 1N4007B-G

Feuilles de données : 1N4007B-G.pdf

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