BYG10KHE3_A/I - DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214
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DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BYG10KHE3_A/I
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BYG10KHE3_A/I
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Avalanche
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 800V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1.5A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.15V @ 1.5A
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 4µs
Courant - Fuite inverse @ Vr : 1µA @ 800V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : DO-214AC, SMA
Package d'appareils du fournisseur : DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour BYG10KHE3_A/I
Feuilles de données : BYG10KHE3_A/I.pdf
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