VS-10ETF12FP-M3 - DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP
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DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour VS-10ETF12FP-M3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : VS-10ETF12FP-M3
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 10A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.33V @ 10A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 310ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 100µA @ 1000V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : TO-220-2 Full Pack
Package d'appareils du fournisseur : TO-220-2 Full Pack
Température de fonctionnement - Jonction : -40°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour VS-10ETF12FP-M3
Feuilles de données : VS-10ETF12FP-M3.pdf
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