AS4C8M16MSA-6BIN - IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
118965 Pieces
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Spécifications pour AS4C8M16MSA-6BIN
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
AS4C8M16MSA-6BIN
Fabricant :
Alliance Memory, Inc.
La description :
IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
SDRAM - Mobile
Taille mémoire :
128Mb (8M x 16)
Fréquence d'horloge :
166MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
-
Temps d'accès :
5ns
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
54-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur :
54-FBGA (8x8)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour AS4C8M16MSA-6BIN
Feuilles de données :
AS4C8M16MSA-6BIN.pdf
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| Numéro d'article | Marque | La description | Acheter |
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CAP CER 6000PF 16KV SCREW. |
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CAP CER 5000PF 16KV SCREW. |
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CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK. |
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Vishay Beyschlag |
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CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK. |
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