RS1DLHM2G - DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-RS1DLHM2G
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
10002285 Pieces
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Spécifications pour RS1DLHM2G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
RS1DLHM2G
Fabricant :
Taiwan Semiconductor Corporation
La description :
DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
Séries :
Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce :
Active
Type de diode :
Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) :
800mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
1.3V @ 800mA
La vitesse :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
150ns
Courant - Fuite inverse @ Vr :
5µA @ 200V
Capacité @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
DO-219AB
Package d'appareils du fournisseur :
Sub SMA
Température de fonctionnement - Jonction :
-55°C ~ 150°C
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour RS1DLHM2G
Feuilles de données :
RS1DLHM2G.pdf
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CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 20KV. |
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Vishay Beyschlag |
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