FDC2612_F095 - MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT

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MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
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Spécifications pour FDC2612_F095

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDC2612_F095
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
Séries : PowerTrench®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 725 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 234pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.6W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SuperSOT™-6
Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : FDC2 , FDC261

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Feuilles de données : FDC2612_F095.pdf

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