SI7860DP-T1-E3 - MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
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MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI7860DP-T1-E3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI7860DP-T1-E3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.8W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SO-8
Paquet / caisse : PowerPAK® SO-8
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SI7860DP-T1-E3
Feuilles de données : SI7860DP-T1-E3.pdf
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