AON2701_001 - MOSFET P-CH W/DIODE DFN
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-AON2701_001
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH W/DIODE DFN
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
67455 Pieces
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Spécifications pour AON2701_001
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
AON2701_001
Fabricant :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La description :
MOSFET P-CH W/DIODE DFN
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
6.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
700pF @ 10V
Caractéristique FET :
Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (max) :
1.5W (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
6-DFN (2x2)
Paquet / caisse :
6-WDFN Exposed Pad
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour AON2701_001
Feuilles de données :
AON2701_001.pdf
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