K9F2G08U0D-SIB0 - 2 Gb x8 2.7 ~ 3.6 V 40 Mbps TSOP 48 -40 ~ 85 °C On-Chip ECC Sample
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2 Gb x8 2.7 ~ 3.6 V 40 Mbps TSOP 48 -40 ~ 85 °C On-Chip ECC Sample
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour K9F2G08U0D-SIB0
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
K9F2G08U0D-SIB0
Fabricant :
Samsung Semiconductor
La description :
2 Gb x8 2.7 ~ 3.6 V 40 Mbps TSOP 48 -40 ~ 85 °C On-Chip ECC Sample
Séries :
DDR3
Densité :
2 Gb
Org. :
x8
Gamme CCV :
2.7 ~ 3.6 V
I / O Vitesse :
40 Mbps
Type d'emballage :
TSOP
Nombre de broches :
48
Temp. :
-40 ~ 85 °C
ECC :
On-Chip ECC
État du produit :
Sample
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour K9F2G08U0D-SIB0
Feuilles de données :
K9F2G08U0D-SIB0.pdf
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