IPD30N03S4L14ATMA1 - MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Référence fabricant

IPD30N03S4L14ATMA1

Numéro de pièce interne

AX-IPD30N03S4L14ATMA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPD30N03S4L14ATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPD30N03S4L14ATMA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

Séries : OptiMOS™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 30V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.6 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 10µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 980pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 31W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-3

Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPD30N , IPD30N03S

Documents pour IPD30N03S4L14ATMA1

Feuilles de données : IPD30N03S4L14ATMA1.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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BZ118100WV10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 30KV AXIAL.
PEF220WH10336BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.
WI140316WQ75236BJ4	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
C0805C154KMREC	KEMET	CAP CER 0805 150NF 63V X7R 10.
WX110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
SR152A2R2CAA	AVX Corporation	CAP CER 2.2PF 200V C0G/NP0 RAD.
WZ135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV.