DMTH6016LSDQ-13 - MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO

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MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO
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Spécifications pour DMTH6016LSDQ-13

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMTH6016LSDQ-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 864pF @ 30V
Puissance - Max : 1.4W, 1.9W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SO
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMTH6 , DMTH601

Documents pour DMTH6016LSDQ-13

Feuilles de données : DMTH6016LSDQ-13.pdf

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