S8JCHR7G - DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-S8JCHR7G
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
2132170 Pieces
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Spécifications pour S8JCHR7G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
S8JCHR7G
Fabricant :
Taiwan Semiconductor Corporation
La description :
DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de diode :
Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) :
600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) :
8A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si :
985mV @ 8A
La vitesse :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) :
-
Courant - Fuite inverse @ Vr :
10µA @ 600V
Capacité @ Vr, F :
48pF @ 4V, 1MHz
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
DO-214AB, SMC
Package d'appareils du fournisseur :
DO-214AB (SMC)
Température de fonctionnement - Jonction :
-55°C ~ 150°C
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour S8JCHR7G
Feuilles de données :
S8JCHR7G.pdf
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