IXTQ200N06P - MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P

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MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P
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Spécifications pour IXTQ200N06P

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXTQ200N06P
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P
Séries : PolarHT™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 200A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 400A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5400pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 714W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-3P
Paquet / caisse : TO-3P-3, SC-65-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IXT , IXTQ2

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Feuilles de données : IXTQ200N06P.pdf

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