DMN65D8LDW-7 - MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

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Brève description
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMN65D8LDW-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMN65D8LDW-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.87nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 22pF @ 25V
Puissance - Max : 300mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur : SOT-363
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMN6 , DMN65D

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Feuilles de données : DMN65D8LDW-7.pdf

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