DMN65D8LDW-7 - MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-DMN65D8LDW-7
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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6224795 Pieces
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Spécifications pour DMN65D8LDW-7
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
DMN65D8LDW-7
Fabricant :
Diodes Incorporated
La description :
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
0.87nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
22pF @ 25V
Puissance - Max :
300mW
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package d'appareils du fournisseur :
SOT-363
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour DMN65D8LDW-7
Feuilles de données :
DMN65D8LDW-7.pdf
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