IPA029N06NXKSA1 - MOSFET N-CH 60V TO220-3
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MOSFET N-CH 60V TO220-3
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPA029N06NXKSA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPA029N06NXKSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 60V TO220-3
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 84A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.9 mOhm @ 84A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.3V @ 75µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 66nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5125pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 38W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-FP
Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IPA029N06NXKSA1
Feuilles de données : IPA029N06NXKSA1.pdf
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