VS-1EFU06HM3/I - DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour VS-1EFU06HM3/I

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : VS-1EFU06HM3/I
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
Séries : Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.2V @ 1A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 32ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 3µA @ 600V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : DO-219AB
Package d'appareils du fournisseur : DO-219AB (SMF)
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : VS-1 , VS-1EFU

Documents pour VS-1EFU06HM3/I

Feuilles de données : VS-1EFU06HM3/I.pdf

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