CSD18536KTTT - MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CSD18536KTTT
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
111575 Pieces
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Spécifications pour CSD18536KTTT
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
CSD18536KTTT
Fabricant :
Texas Instruments
La description :
MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Séries :
NexFET™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
200A (Ta), 279A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
140nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
11430pF @ 30V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
375W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
DDPAK/TO-263-3
Paquet / caisse :
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour CSD18536KTTT
Feuilles de données :
CSD18536KTTT.pdf
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