STH185N10F3-6 - MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
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Brève description
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour STH185N10F3-6
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
STH185N10F3-6
Fabricant :
STMicroelectronics
La description :
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Séries :
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
114.6nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
6665pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
315W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
H2PAK-6
Paquet / caisse :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour STH185N10F3-6
Feuilles de données :
STH185N10F3-6.pdf
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