DMN2014LHAB-7 - MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

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MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMN2014LHAB-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMN2014LHAB-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1550pF @ 10V
Puissance - Max : 800mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-UFDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : U-DFN2030-6 (Type B)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMN2 , DMN201

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Feuilles de données : DMN2014LHAB-7.pdf

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