BSO200P03SHXUMA1 - MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO

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MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
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Spécifications pour BSO200P03SHXUMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSO200P03SHXUMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2330pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.56W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-DSO-8
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSO20 , BSO200P0

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Feuilles de données : BSO200P03SHXUMA1.pdf

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