ZXMN6A11GTA - MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-ZXMN6A11GTA
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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1332815 Pieces
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Spécifications pour ZXMN6A11GTA
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
ZXMN6A11GTA
Fabricant :
Diodes Incorporated
La description :
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
3.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
5.7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
330pF @ 40V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
2W (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
SOT-223
Paquet / caisse :
TO-261-4, TO-261AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour ZXMN6A11GTA
Feuilles de données :
ZXMN6A11GTA.pdf
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