TK58E06N1,S1X - MOSFET N CH 60V 58A TO-220

Référence fabricant

TK58E06N1,S1X

Numéro de pièce interne

AX-TK58E06N1,S1X

Fabricant

Toshiba Semiconductor and Storage

Brève description

MOSFET N CH 60V 58A TO-220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

Heure de livraison

1-2 jours

quantité disponible

348955 Pieces

Prix de référence

~~USD 0.804~~

Notre prix

- (Veuillez nous contacter pour un meilleur prix: [email protected])

AX Semiconductor a TK58E06N1,S1X en stock à vendre. Nous pouvons vous expédier dans les 1-2 jours. Veuillez nous contacter pour un meilleur prix pour TK58E06N1,S1X. Notre email: [email protected]

Options et délais de livraison:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Options de paiement:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Spécifications pour TK58E06N1,S1X

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : TK58E06N1,S1X

Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage

La description : MOSFET N CH 60V 58A TO-220

Séries : U-MOSVIII-H

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 60V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 58A (Ta)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.4 mOhm @ 29A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 46nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3400pF @ 30V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 110W (Tc)

Température de fonctionnement : 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : TK58 , TK58E0

Documents pour TK58E06N1,S1X

Feuilles de données : TK58E06N1,S1X.pdf

Produits associés pour TK58E06N1,S1X Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	Marque	La description
CDR35BP103BKUSAR	Vishay Vitramon	CAP CER 10000PF 100V BP 1825.
WF125300WJ76238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 14KV SCREW.
WF165336WP76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 20KV SCREW.
WF095220WF50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
WF110250WJ47238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
WZ135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV.
WI140316WQ75236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
B37987F1223M051	EPCOS (TDK)	CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL.
WI140266WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WI085260WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.
WI140266WJ10336BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
WZ125178BH30236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 3000PF 10KV.
WF135218WL40238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 16KV SCREW.
WI140266WQ75236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
VJ0603Q3R3CEAAO	Vishay Vitramon	CAP CER 3.3PF 50V C0G/NP0 0603.
WX095162WJ25236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2500PF 14KV SCREW.
BZ120055WC16136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 160PF 9KV AXIAL.
WX110250WJ50238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
WI106266WP40236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 20KV SCREW.
WF135272WL60236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 16KV SCREW.