ES6U3T2CR - MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

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MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
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Spécifications pour ES6U3T2CR

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : ES6U3T2CR
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Séries : -
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 70pF @ 10V
Caractéristique FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) : 700mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-WEMT
Paquet / caisse : SOT-563, SOT-666
Poids : -
État : Nouveau et original
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