PSMN6R3-120ESQ - MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

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MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
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Spécifications pour PSMN6R3-120ESQ

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PSMN6R3-120ESQ
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 120V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 70A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 207.1nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 11384pF @ 60V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 405W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : I2PAK
Paquet / caisse : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : PSMN , PSMN6R3

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Feuilles de données : PSMN6R3-120ESQ.pdf

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