IRFH5053TR2PBF - MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
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MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRFH5053TR2PBF
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRFH5053TR2PBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.3A (Ta), 46A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.9V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1510pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PQFN (5x6) Single Die
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IRFH5053TR2PBF
Feuilles de données : IRFH5053TR2PBF.pdf
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