2N3440U4 - POWER BJT

Référence fabricant
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POWER BJT
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 2N3440U4

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 2N3440U4
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : POWER BJT
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de transistor : NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 1A
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 250V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 500mV @ 4mA, 50mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 2µA
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 40 @ 20mA, 10V
Puissance - Max : 5W
Fréquence - Transition : -
Température de fonctionnement : -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 3-SMD, No Lead
Package d'appareils du fournisseur : U4
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : 2N , 2N34

Documents pour 2N3440U4

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