TK40P03M1(T6RDS-Q) - MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3

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MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TK40P03M1(T6RDS-Q)

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TK40P03M1(T6RDS-Q)
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
Séries : U-MOSVI-H
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 40A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 17.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1150pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DPAK
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TK40P0 , TK40P03M1

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