NGTD13T65F2WP - IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
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Brève description
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NGTD13T65F2WP
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NGTD13T65F2WP
Fabricant : ON Semiconductor
La description : IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type IGBT : Trench Field Stop
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : -
Courant - collecteur pulsé (Icm) : 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 30A
Puissance - Max : -
Énergie de commutation : -
Type d'entrée : Standard
Charge de la porte : -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C : -
Condition de test : -
Temps de récupération inverse (trr) : -
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : Die
Package d'appareils du fournisseur : Die
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NGTD13T65F2WP
Feuilles de données : NGTD13T65F2WP.pdf
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