IXTD2N60P-1J - MOSFET N-CH 600
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IXTD2N60P-1J
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
22939 Pieces
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Spécifications pour IXTD2N60P-1J
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IXTD2N60P-1J
Fabricant :
IXYS
La description :
MOSFET N-CH 600
Séries :
PolarHV™
Statut de la pièce :
Last Time Buy
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.1 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
240pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
56W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
Die
Paquet / caisse :
Die
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IXTD2N60P-1J
Feuilles de données :
IXTD2N60P-1J.pdf
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