NVMFD5C650NLT1G - MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
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MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NVMFD5C650NLT1G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NVMFD5C650NLT1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 98µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2546pF @ 25V
Puissance - Max : 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur : 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NVMFD5C650NLT1G
Feuilles de données : NVMFD5C650NLT1G.pdf
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