RJK03M5DNS-00#J5 - MOSFET N-CH 30V 25A HWSON

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MOSFET N-CH 30V 25A HWSON
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Spécifications pour RJK03M5DNS-00#J5

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RJK03M5DNS-00#J5
Fabricant : Renesas Electronics America
La description : MOSFET N-CH 30V 25A HWSON
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 25A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.3 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1890pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 15W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-HWSON (3.3x3.3)
Paquet / caisse : 8-PowerWDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : RJK03 , RJK03M5D

Documents pour RJK03M5DNS-00#J5

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