STD2NK60Z-1 - MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-STD2NK60Z-1
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour STD2NK60Z-1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : STD2NK60Z-1
Fabricant : STMicroelectronics
La description : MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
Séries : SuperMESH™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 170pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 45W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : I-PAK
Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour STD2NK60Z-1
Feuilles de données : STD2NK60Z-1.pdf
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