FDB12N50UTM_WS - MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

Référence fabricant

FDB12N50UTM_WS

Numéro de pièce interne

AX-FDB12N50UTM_WS

Fabricant

ON Semiconductor

Brève description

MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour FDB12N50UTM_WS

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : FDB12N50UTM_WS

Fabricant : ON Semiconductor

La description : MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

Séries : FRFET®

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 500V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1395pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 165W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : D²PAK

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : FDB1 , FDB12N5

Documents pour FDB12N50UTM_WS

Feuilles de données : FDB12N50UTM_WS.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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