NCV5701ADR2G - HIGH CURRENT IGBT GATE DR
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-NCV5701ADR2G
Fabricant
Brève description
HIGH CURRENT IGBT GATE DR
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
523260 Pieces
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Spécifications pour NCV5701ADR2G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NCV5701ADR2G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : HIGH CURRENT IGBT GATE DR
Séries : *
Statut de la pièce : Active
Configuration pilotée : -
Type de canal : -
Nombre de conducteurs : -
Type de porte : -
Tension - Alimentation : -
Tension logique - VIL, VIH : -
Courant - sortie de crête (source, puits) : -
Type d'entrée : -
Haute tension latérale - Max (Bootstrap) : -
Temps de montée / descente (type) : -
Température de fonctionnement : -
Type de montage : -
Paquet / caisse : -
Package d'appareils du fournisseur : -
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NCV5701ADR2G
Feuilles de données : NCV5701ADR2G.pdf
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