SI1025X-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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2355105 Pieces
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Spécifications pour SI1025X-T1-GE3
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SI1025X-T1-GE3
Fabricant :
Vishay Siliconix
La description :
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
Séries :
TrenchFET®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
190mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
1.7nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
23pF @ 25V
Puissance - Max :
250mW
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur :
SC-89-6
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SI1025X-T1-GE3
Feuilles de données :
SI1025X-T1-GE3.pdf
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