IPB80P04P4L08ATMA1 - MOSFET P-CH TO263-3
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MOSFET P-CH TO263-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPB80P04P4L08ATMA1
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPB80P04P4L08ATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET P-CH TO263-3
Séries : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 120µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 92nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 5430pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 75W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO263-3-2
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IPB80P04P4L08ATMA1
Feuilles de données : IPB80P04P4L08ATMA1.pdf
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