SIA448DJ-T1-GE3 - MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L

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MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SIA448DJ-T1-GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SIA448DJ-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 12.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1380pF @ 1V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SC-70-6 Single
Paquet / caisse : PowerPAK® SC-70-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SIA44 , SIA448D

Documents pour SIA448DJ-T1-GE3

Feuilles de données : SIA448DJ-T1-GE3.pdf

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