VS-GT400TH120N - IGBT 1200V 600A 2119W DIAP

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IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour VS-GT400TH120N

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : VS-GT400TH120N
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type IGBT : Trench
Configuration : Half Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 600A
Puissance - Max : 2119W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 400A
Courant - Coupure Collecteur (Max) : 5mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce : 28.8nF @ 25V
Contribution : Standard
Thermistance NTC : No
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : Double INT-A-PAK (3 + 8)
Package d'appareils du fournisseur : Double INT-A-PAK
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : VS-G , VS-GT40

Documents pour VS-GT400TH120N

Feuilles de données : VS-GT400TH120N.pdf

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