IPS110N12N3GBKMA1 - MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPS110N12N3GBKMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPS110N12N3GBKMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 120V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 83µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4310pF @ 60V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 136W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO251-3
Paquet / caisse : TO-251-3 Stub Leads, IPak
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPS11 , IPS110N1

Documents pour IPS110N12N3GBKMA1

Feuilles de données : IPS110N12N3GBKMA1.pdf

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