NTHD4P02FT1G - MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-NTHD4P02FT1G
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NTHD4P02FT1G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NTHD4P02FT1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.2A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 155 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 10V
Caractéristique FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) : 1.1W (Tj)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : ChipFET™
Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NTHD4P02FT1G
Feuilles de données : NTHD4P02FT1G.pdf
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