IXFV20N80P - MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220

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MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220
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Spécifications pour IXFV20N80P

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXFV20N80P
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 800V 20A PLUS220
Séries : HiPerFET™, PolarHT™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 520 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 86nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4685pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 500W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PLUS220
Paquet / caisse : TO-220-3, Short Tab
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IXF , IXFV2

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Feuilles de données : IXFV20N80P.pdf

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